RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
36
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2734
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link