Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 36

Около 8% меньшая задержка

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 36
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 15.5
Скорость записи, Гб/сек

7.3 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 2734

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB

модули RAM