RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
33
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
22
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2388
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link