Comparaison de la RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Note globale

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 17000

Autour de 1.13% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 37

Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.3 16

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.2 12.6

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2808 3233

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns