Confronto tra le RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Punteggio complessivo

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 17000

Intorno 1.13% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

23 37

Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.3 16

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.2 12.6

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2808 3233

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns