Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Punteggio complessivo
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 37
    Intorno -61% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.3 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.2 left arrow 12.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 17.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.6 left arrow 13.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2808 left arrow 3233
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RAM 2

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