Comparação RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Pontuação geral

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 17000

Por volta de 1.13% maior largura de banda

Razões a considerar
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 37

Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.3 16

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.2 12.6

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2808 3233

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns