Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

総合得点

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 37

周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.3 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 12.6

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 23
読み出し速度、GB/s

16.0 17.3
書き込み速度、GB/秒

12.6 13.2
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2808 3233

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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