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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

総合得点
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 37
    周辺 -61% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 12.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.6 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2808 left arrow 3233

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