Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

总分
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

总分
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 37
    左右 -61% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.3 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.2 left arrow 12.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 23
  • 读取速度,GB/s
    16.0 left arrow 17.3
  • 写入速度,GB/s
    12.6 left arrow 13.2
  • 内存带宽,mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2808 left arrow 3233
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RAM 2

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