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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

审查RAM Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB, 规格、基准

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 记忆模块回顾. 主要技术特点和PassMark的基准性能评估. 我们建议研究所有数据，并与竞争模式进行比较。
规格 性能测试 评论

规格

完整的技术规格清单
特点
  • Type
    DDR4
  • 命名
    Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ
  • 特征
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 内存带宽
    19200 mbps
  • 时序/时钟速度

    * 检查制造商的网站

    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
性能由PassMark提供
  • 延迟
    37 ns
  • 阅读速度
    16.0 GB/s
  • 写入速度
    12.6 GB/s
# 1600 1866 2133 2400 2666 2800 3000 3200 3333 3400 3466 3600 3733 3866 4000 MT/s
8 10.00 8.57 7.50 6.67 6.00 5.71 5.33 5.00 4.80 4.71 4.62 4.44 4.29 4.14 4.00
9 11.25 9.65 8.44 7.50 6.75 6.43 6.00 5.63 5.40 5.29 5.19 5.00 4.82 4.66 4.50
10 12.50 10.72 9.38 8.33 7.50 7.14 6.67 6.25 6.00 5.88 5.77 5.56 5.36 5.17 5.00
11 13.75 11.79 10.31 9.17 8.25 7.86 7.33 6.88 6.60 6.47 6.35 6.11 5.89 5.69 5.50
12 15.00 12.86 11.25 10.00 9.00 8.57 8.00 7.50 7.20 7.06 6.92 6.67 6.43 6.21 6.00
13 16.25 13.93 12.19 10.83 9.75 9.29 8.67 8.13 7.80 7.65 7.50 7.22 6.96 6.73 6.50
14 17.50 15.01 13.13 11.67 10.50 10.00 9.33 8.75 8.40 8.24 8.08 7.78 7.50 7.24 7.00
15 18.75 16.08 14.06 12.50 11.25 10.71 10.00 9.38 9.00 8.82 8.66 8.33 8.04 7.76 7.50
16 20.00 17.15 15.00 13.33 12.00 11.43 10.67 10.00 9.60 9.41 9.23 8.89 8.57 8.28 8.00
17 21.25 18.22 15.94 14.17 12.75 12.14 11.33 10.63 10.20 10.00 9.81 9.44 9.11 8.79 8.50
18 22.50 19.29 16.88 15.00 13.50 12.86 12.00 11.25 10.80 10.59 10.39 10.00 9.64 9.31 9.00
19 23.75 20.36 17.82 15.83 14.25 13.57 12.67 11.88 11.40 11.18 10.96 10.56 10.18 9.83 9.50
20 25.00 21.44 18.75 16.67 15.00 14.29 13.33 12.50 12.00 11.76 11.54 11.11 10.72 10.35 10.00
CL

CAS延迟衡量的是，从提出读取数据的请求到获得这些信息所经过的时钟周期的数量。

性能测试

真实的测试 Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
延迟
PassMark平均延迟时间
29 ns
28 ns
38 ns
33 ns
28 ns
29 ns
37 ns
33 ns
31 ns
37 ns
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
读取非缓存传输速度
无缓存的平均内存读取时间
17.9 ns
18.3 ns
13.8 ns
16.1 ns
18.2 ns
18.5 ns
13.9 ns
16.1 ns
16.8 ns
16.0 ns
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
写入传输速度
平均写入速度
13.8 ns
14.5 ns
10.1 ns
11.7 ns
14.6 ns
14.4 ns
9.9 ns
13.0 ns
12.8 ns
12.6 ns
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
给RAM评分
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

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