RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сравнить
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB против Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
-->
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2808
3233
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link