Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB против Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 37
    Около -61% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.2 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.6 left arrow 13.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2808 left arrow 3233
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения