RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
46
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.0
Скорость записи, Гб/сек
13.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2396
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link