RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2396
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link