RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
46
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
2396
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link