RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
47
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
47
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2875
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link