RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
47
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
47
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2875
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link