RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 48
    Около 50% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.5 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2196

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
модули RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
модули RAM