RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link