Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 48
    Autour de 50% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.5 left arrow 8.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.5 left arrow 16
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 19200
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    24 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.0 left arrow 17.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.5 left arrow 8.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2925 left arrow 2196
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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