RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
48
Autour de 50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
48
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6DFR8A
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link