Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 48
    Intorno 50% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.5 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 19200
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 48
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 17.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.5 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2925 left arrow 2196
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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