RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
44
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
21
Velocità di lettura, GB/s
11.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3120
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link