Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.7 10

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 41

Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.5 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 10.0
Скорость записи, Гб/сек

7.5 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2039 2234

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM