RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2513
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link