RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2513
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link