RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
75
Autour de 28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
75
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1717
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 992018 (997018) 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link