RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
75
左右 28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
75
读取速度,GB/s
9.2
15.6
写入速度,GB/s
8.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1717
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link