RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
54
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
50
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2424
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link