RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
54
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2424
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link