RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2659
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link