RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
54
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2659
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link