RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1424
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link