RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2570
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link