RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3085
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link