RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
28
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3085
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link