RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
54
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3837
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link