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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2227
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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