RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
72
Autour de -89% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2841
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link