Comparaison de la RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Note globale

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 37

Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.1 13.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.0 8.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 10600

Autour de 2.01 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2143 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns