Comparação RAM Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Pontuação geral

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 37

Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.1 13.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.0 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2143 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns