RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
72
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2841
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link