RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2841
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link