RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2841
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link