RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2227
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link