RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2227
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link