RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
54
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3580
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Jinyu 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link