RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
54
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3885
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link