RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
25.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
87
Autour de -521% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
14
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
25.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
19.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
4182
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link