RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3804
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link