RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2113
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link