Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 6.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 54
    Wokół strony -125% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 9.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    54 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.2 left arrow 13.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 6.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2105 left arrow 2113
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania