RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
54
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
42
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2525
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link