RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
54
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
42
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2525
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link